加州大學(xué)發(fā)現(xiàn)二硫化鉬晶體管抗高溫特性

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需要抗高溫電子器件的應(yīng)用數(shù)量不斷增長，渦輪機(jī)和井下傳感等應(yīng)用都需要能在200℃以上溫度工作的電子器件。

加州大學(xué)河濱分校和倫斯勒理工學(xué)院的研究人員發(fā)現(xiàn)二硫化鉬薄膜晶體管可用于此類極端溫度應(yīng)用場合。

加大河濱分校教授亞歷山大·巴蘭丁表示：“研究表明二硫化鉬薄膜晶體管至少在220℃還能保持功能。在經(jīng)過兩個(gè)月的老化之后，這種晶體管仍然能夠穩(wěn)定工作。”

利用標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)，巴蘭丁教授的研究團(tuán)隊(duì)在硅襯底上構(gòu)建出二硫化鉬晶體管。巴蘭丁教授指出：一些晶體管只有幾層，而其他晶體管則多至18層。薄膜越厚，晶體管的熱穩(wěn)定性越強(qiáng)，在高溫下表現(xiàn)出更高的電子遷移率。

通過直流測量，研究人員研究了二硫化鉬晶體管在26℃～223℃之間的電流電壓特性或功能特性。他們發(fā)現(xiàn)晶體管的性能不同，但當(dāng)溫度上升時(shí)仍然保持功能。

巴蘭丁表示：“遷移率和門限電壓隨著溫度而降低。單層二硫化鉬的帶隙為1.9電子伏特，比硅和砷化鎵的要大，這對(duì)于高溫應(yīng)用是有益的�！�

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