NUS研究出提高二硒化鎢光致發(fā)光效率方法

新加坡國立大學（NUS）領導的研究小組已經(jīng)開發(fā)出一種提高二維半導體二硒化鎢光致發(fā)光效率的方法，為先進的光電子和光子器件等半導體的應用鋪平了道路。研究團隊由NUS理學院物理系Andrew Wee教授帶領，將二硒化鎢添加到帶有溝槽的金基板上，提高納米材料的光致發(fā)光率達20000倍。這一技術突破為二硒化鎢這一新型半導體材料的先進應用創(chuàng)造了新機遇。

這項工作的關鍵是金電漿納米陣列模板的設計。在系統(tǒng)中，通過改變泵浦激光器的結構間距，利用不同激光波長調諧共振達到匹配。實現(xiàn)以實現(xiàn)最佳的場約束光等離子體激元耦合。這是首次證明金電漿納米結構能夠提高二硒化鎢光致發(fā)光效率的工作。

二硒化鎢是一種單分子厚的半導體，是一個新興的過渡金屬硫化物（TMDCs）材料，它能將實現(xiàn)光電互轉換，使他們成為光電器件如薄膜太陽能電池、光電探測器柔性邏輯電路和傳感器的有實力的潛在候選人。然而，其原子薄的結構降低了其吸收光譜和光致發(fā)光性能，從而限制了其實際應用。