二硫化鎢納米片（WS?納米片）作為典型的過渡金屬硫化物材料，是一種半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)為六方晶系（空間群P6?/mmc），每層由W原子層夾在兩層S原子層之間形成三明治結(jié)構(gòu)。研究表明，單層WS?具有約1.8eV的直接帶隙，這一特性使其在光電器件領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)於間接帶隙半導(dǎo)體的量子效率；單層WS?的室溫載流子遷移率可達(dá)100-300cm2/V?s，電子濃度約為1×1012cm?2，顯著優(yōu)於傳統(tǒng)矽基材料。值得注意的是，WS?納米片的電子遷移率呈現(xiàn)明顯的厚度依賴性，多層結(jié)構(gòu)如10層的遷移率可降至50cm2/V?s以下，這與層間聲子散射增強(qiáng)密切相關(guān)。
中鎢線上二硫化鎢圖片
WS?納米片的載流子遷移率是衡量其電學(xué)性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。研究表明，在室溫條件下，基於WS?納米片的場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）的載流子遷移率可達(dá)531.41cm2·V?1·s?1，這一性能接近於理論值。此外，WS?納米片的電子有效品質(zhì)較小（0.738m?），這有助於實(shí)現(xiàn)較高的電子遷移率。
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WS?納米片的電學(xué)性能與其層數(shù)密切相關(guān)。隨著層數(shù)的減少，量子限域效應(yīng)增強(qiáng)，導(dǎo)致其帶隙增大，電學(xué)性能發(fā)生顯著變化。例如，單層二硫化鎢納米片表現(xiàn)出更高的載流子遷移率和開關(guān)比，而多層結(jié)構(gòu)則更適合用於需要較高電導(dǎo)率的應(yīng)用。
值得一提的是，WS?納米片憑藉著優(yōu)異的電化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于儲(chǔ)能領(lǐng)域，能夠顯著提高電池的能量密度。此外，二硫化鎢納米片還具有良好的迴圈穩(wěn)定性和倍率性能，這使其在高性能電池電極材料中具有重要應(yīng)用潛力。
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