中科院“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目順利通過(guò)驗(yàn)收
在“十一五”國(guó)家863計(jì)劃新材料領(lǐng)域項(xiàng)目的支持下，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)的“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目課題近日順利通過(guò)驗(yàn)收。
針對(duì)中國(guó)節(jié)能減排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建成了從半導(dǎo)體照明重大裝備、材料外延、芯片開發(fā)到高效大功率封裝及測(cè)試分析的完整柔性半導(dǎo)體照明工藝平臺(tái)，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。
該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)在中國(guó)率先突破以氮化物為主的半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)及摻雜、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及機(jī)理驗(yàn)證、測(cè)試及封裝等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了150lm/w以上的LED高 效發(fā)光；成功制備了中國(guó)首個(gè)300nm以下室溫?zé)晒獍l(fā)光的深紫外UVLED器件，并實(shí)現(xiàn)了器件功率的毫瓦級(jí)輸出；研制開發(fā)了中國(guó)首臺(tái)48片MOCVD樣 機(jī)，經(jīng)第三方檢測(cè)，設(shè)備外延的氮化鎵材料，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了同類國(guó)際MOCVD設(shè)備的水平。
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