隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，傳統(tǒng)的二維平面封裝方式已難以滿(mǎn)足高性能計(jì)算、5G通信、AI芯片等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、高密度、高熱流密度的封裝需求。3D封裝技術(shù)作為一種新興的封裝架構(gòu)，采用垂直堆疊芯片、多芯片集成及異構(gòu)集成方式，在提高集成度的同時(shí)，也帶來(lái)了顯著的熱管理挑戰(zhàn)。
如何在有限的空間內(nèi)有效導(dǎo)熱、抑制熱應(yīng)力、保證封裝系統(tǒng)的穩(wěn)定性，成為3D封裝技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。在此背景下，鉬銅合金（Mo-Cu）憑借其優(yōu)異的熱物理性能，在3D封裝中的應(yīng)用價(jià)值日益凸顯。
在3D封裝結(jié)構(gòu)中，多個(gè)芯片通過(guò)硅通孔（TSV）、微凸點(diǎn)（micro bump）或互聯(lián)層堆疊在一起，使得單位體積內(nèi)的熱功率密度顯著提高。過(guò)高的熱流密度會(huì)導(dǎo)致芯片溫升過(guò)快，引發(fā)熱失控、信號(hào)漂移甚至器件失效。因此，封裝材料必須具備以下特性：
1.高熱導(dǎo)率：以實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部熱量的快速傳導(dǎo)和擴(kuò)散；
2.低熱膨脹系數(shù)（CTE）：與芯片材料（如硅）匹配，減少熱應(yīng)力；
3.良好的可加工性與穩(wěn)定性：適應(yīng)復(fù)雜的微型封裝結(jié)構(gòu)；
4.兼容性強(qiáng)：滿(mǎn)足真空封裝或惰性氣氛下的工作條件。
鉬銅合金是一種由高熔點(diǎn)金屬鉬和高導(dǎo)熱金屬銅通過(guò)粉末冶金技術(shù)復(fù)合而成的材料，兼具鉬的低熱膨脹系數(shù)（約5.6×10??/K）和銅的高熱導(dǎo)率（約380 W/m·K），是一種極具潛力的熱管理中間層材料，因此在3D封裝中被廣泛使用。
